Search…

    Saved articles

    You have not yet added any article to your bookmarks.

    Browse articles

    GDPR Compliance

    We use cookies to ensure you get the best experience on our website. By continuing to use our site, you accept our use of cookies, Privacy Policies, and Terms of Service.

    USB-dən 1 milyon dəfə sürətli: Flaş yaddaşlarda sürət rekordu qırıldı

    6 days ago

    5

    0

    Çinli tədqiqatçılar standart USB protokolundan 1 milyon dəfə daha sürətli məlumat ötürülməsini təmin edən yeni bir flaş yaddaş texnologiyası hazırlayıblar.  Valyuta.az xəbər verir ki, 400 pikosaniyəlik reaksiya müddətinə və saniyədə 25 milyard əməliyyat yerinə yetirmək qabiliyyətinə malik bu texnologiya, yaddaş texnologiyalarında inqilabi dönüş yarada bilər. Əgər USB yaddaş vasitəsilə məlumatların oxunması və yazılması sizə uzun çəkirmiş kimi gəlirsə, bu problem yaxın gələcəkdə keçmişdə qala bilər. Çin alimlərinin inkişaf etdirdiyi yeni texnologiya, məlumat ötürülməsində sürəti misilsiz dərəcədə artıraraq yaddaş sənayesində yeni dövrün əsasını qoya bilər. "PoX" adı verilmiş bu texnologiya, indiyə qədər yaradılmış ən sürətli yarımkeçirici yaddaş qurğularından biri kimi qiymətləndirilir. Cəmi 400 pikosaniyəlik - yəni 0,4 nanosaniyəlik - cavab müddəti ilə bu texnologiya məlumatlara çıxışı fövqəladə səviyyəyə çatdırır. Tədqiqatın nəticələri "Nature" jurnalında dərc olunub. Mövcud flaş yaddaşlardan minlərlə dəfə daha sürətli Layihənin aparıcı mütəxəssislərindən biri olan Çjou Penq bildirib ki, bu qurğu göz qırpımında 1 milyard əməliyyat həyata keçirə bilir, halbuki eyni zaman kəsiyində adi USB yaddaş cəmi 1.000 əməliyyat yerinə yetirə bilir. Qeyd edək ki, daha əvvəl oxşar texnologiyalar üzrə dünya rekordu 2 milyon idi, lakin "PoX" bu həddi də aşaraq yeni zirvəyə çatıb. Lakin müqayisənin hansı USB versiyası ilə aparıldığı konkret göstərilməyib. Ənənəvi flaş yaddaşlar enerji verilmədən də məlumatları saxlayır və aşağı enerji sərfiyyatı ilə tanınır. Bununla belə, onların məlumat əldə etmə sürəti statik və dinamik təsadüfi giriş yaddaşı (SRAM və DRAM) kimi RAM texnologiyalarından geri qalır. Flaş yaddaşlar RAM-ın yerini tuta bilərmi? Fudan Universitetinin tədqiqatçıları düşünürlər ki, bu texnologiya ilə RAM-in yerini tuta biləcək yeni nəsil yaddaş qurğuları formalaşa bilər. "PoX" texnologiyası, flaş yaddaşların artıq RAM səviyyəsində sürətli işləməsinə şərait yaradır. Bu yenilik kompüterlərin ümumi məhsuldarlığında əhəmiyyətli sıçrayışa səbəb ola bilər. Əgər "PoX" texnologiyası sənaye standartına çevrilərsə, yüksək sürətli məlumat əldə etmə və yaddaş həlləri tamamilə yeni mərhələyə qədəm qoya bilər. Lakin bu texnologiyanın bütün dünyadakı kompüter sistemləri ilə uyğun işləyəcək məhsula çevrilməsi bir anda baş verməyəcək. Yenə də qarşıdakı illərdə "PoX" kimi super sürətli yaddaş texnologiyaları ilə tanış olmağa hazır olmaq vacibdir. Bu cür texnoloji sıçrayışların informasiya texnologiyaları sahəsində hansı dəyişikliklərə səbəb olacağını maraqla izləməyə dəyər. Paşa Məmmədli
    Click here to Read more
    Prev Article
    VALORANT Mobile Nasıl Görünecek? İşte Şu Ana Kadar Paylaşılan Oynanış Videoları!
    Next Article
    Evlərin qiymətləri dəyişə bilər - SƏBƏB

    Related Local News Updates:

    Comments (0)

      Leave a Comment